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　　羅姆開發(fā)出了SiC元件使用的新型芯片粘合技術(shù)。該技術(shù)利用薄板狀金屬。與利用線焊時相比，更容易抑制開關(guān)時發(fā)生的浪涌電壓。這樣一來，便可充分發(fā)揮比Si元件更高開關(guān)速度的SiC特性。
　　由于降低了浪涌電壓，因此可進(jìn)行100kHz以上的高速開關(guān)動作。其原因在于寄生電感比線焊時減少。
　　此外，還可實(shí)現(xiàn)線焊時較難的芯片兩面冷卻�？捎纱颂岣逽iC元件的輸出功率電流密度。