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Mg2Si 電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的研究  
Mg2Si 電子結(jié)構(gòu)及光學(xué)性質(zhì)的研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： Mg2Si  第一性原理  電子結(jié)構(gòu)  光學(xué)性質(zhì)  
資料大?。?/td> 425K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
采用基于第一性原理的贗勢平面波方法系統(tǒng)地計算了Mg2Si基態(tài)的電子結(jié)構(gòu)、態(tài)密度和光學(xué)性質(zhì)。計算結(jié)果表明Mg2Si屬于間接帶隙半導(dǎo)體，禁帶寬度為0.2994eV；其價帶主要由Si的3p以及Mg的3s、3p態(tài)電子構(gòu)成，導(dǎo)帶主要由Mg的3s、3p以及Si的3p態(tài)電子構(gòu)成；靜態(tài)介電常數(shù)1(0)＝18.89；折射率0n＝4.3460；吸收系數(shù)最大峰值為356474.5cm-1；并利用計算的能帶結(jié)構(gòu)和態(tài)密度分析了Mg2Si的介電函數(shù)、折射率、反射率、吸收系數(shù)、光電導(dǎo)率和能量損失函數(shù)的計算結(jié)果，為Mg2Si的設(shè)計與應(yīng)用提供了理論依據(jù)。
作者： 陳茜，謝泉，閆萬珺，楊創(chuàng)華，趙鳳娟
上傳時間： 2008-05-16 14:53:32
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相關(guān)評論 共有1人發(fā)表評論 更多評論
hahaxinxin    2009-03-03 15:15:34
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