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低磁場(chǎng)條件下Gd5(Si1-xGex)4(x＝0,0.2,0.3)合金磁熱效應(yīng)研究  
低磁場(chǎng)條件下Gd5(Si1-xGex)4(x＝0,0.2,0.3)合金磁熱效應(yīng)研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 稀土金屬合金  磁熱效應(yīng)  磁致冷材料  
資料大?。?/td> 225K
所屬學(xué)科： 分子表征
來(lái)源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
用高頻真空懸浮爐在氬氣保護(hù)下制備了Gd5(Si1-xGex)4(x＝0,0.2,0.3)系列樣品，用直接測(cè)量方法測(cè)定了在永磁體提供的低磁場(chǎng)（H＝1.3T）條件下樣品的磁熱效應(yīng)曲線（ΔTad-T）。結(jié)果表明，用元素Ge分別替代Gd5Si4合金中的Si原子，不能增強(qiáng)合金的磁熱效應(yīng)，但可在333～300K范圍改變材料的居里溫度，且磁熱效應(yīng)峰值范圍變寬。
作者： 倪利勇，王貴，趙侖，趙娟，施錫鵬，陳明，李保衛(wèi)，黃焦宏，金培育，劉金榮，徐來(lái)自
上傳時(shí)間： 2008-08-19 11:35:03
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easefu    2009-03-31 0:12:40
好的，謝謝。
yangxiquan    2008-10-05 18:17:17
非常的不錯(cuò)，謝謝
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