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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關鍵詞： |
cdmnte in 摻雜 x 射線衍射 電阻率 紅外透過率
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| 326K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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采用垂直Bridgman法生長了In摻雜Cd0.8Mn0.2Te晶體（CdMnTe∶In）和本征的Cd0.8Mn0.2Te晶體(CdMnTe)。X射線粉末衍射、X射線雙晶搖擺曲線和位錯密度測試表明，所生長晶體均為立方閃鋅礦結構，半峰寬為40～80arcsec，位錯密度為104～105cm-2，結晶質(zhì)量良好。In摻雜不影響晶體的結構和結晶質(zhì)量。電流-電壓（I-V）測試表明，CdMnTe:In晶體的電阻率為1～3109Ωcm，與CdMnTe晶體相比上升了3個數(shù)量級。近紅外光透過光譜（IRtransmission）研究發(fā)現(xiàn)In摻雜后CdMnTe晶體紅外透過率降低，在波數(shù)范圍4000～1000cm-1，CdMnTe晶體紅外透過率為51.2%～56.4%，而CdMnTe∶In的紅外透光率為15.4%～21.6%。 |
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| 作者： |
張繼軍，王領航，王濤，曾冬梅，介萬奇
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| 上傳時間： |
2008-08-22 15:03:03 |
| 下載次數(shù)： |
39 |
| 消耗積分： |
2
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