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注入溫度對(duì)Mn+注入p-GaN 薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性影響  
注入溫度對(duì)Mn+注入p-GaN 薄膜的結(jié)構(gòu)和磁性影響
資料類(lèi)型： PDF文件
關(guān)鍵詞： gan  離子注入  注入溫度  磁性  
資料大?。?/td> 241K
所屬學(xué)科： 分子表征
來(lái)源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
在(0001)面的藍(lán)寶石襯底上用低壓MOCVD法生長(zhǎng)p型GaN外延層。對(duì)p型GaN薄膜用180keV的Mn+離子注入進(jìn)行磁性粒子摻雜，注入劑量保持為5.01015cm-2，但注入時(shí)p型GaN分別處于室溫、300℃和500℃。對(duì)注入的樣品在N2氣流中進(jìn)行快速熱退火處理，溫度為850℃、時(shí)間為30s。用超導(dǎo)量子干涉儀（SQUID）對(duì)樣品的磁性進(jìn)行了分析，室溫下注入樣品的磁響應(yīng)較弱，未發(fā)現(xiàn)鐵磁性；在300℃下注入的樣品中發(fā)現(xiàn)有較強(qiáng)的鐵磁性，更高的500℃的注入溫度并不能進(jìn)一步增強(qiáng)鐵磁性。結(jié)合用X射線衍射（XRD）對(duì)不同注入溫度樣品的結(jié)構(gòu)研究，揭示只有適當(dāng)?shù)淖⑷霚囟龋?00℃）才有利于GaN晶格的恢復(fù)和鐵磁性的產(chǎn)生。
作者： 石瑛，蔣昌忠，范湘軍
上傳時(shí)間： 2008-08-22 15:04:34
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