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注硅工藝對(duì)UNIBOND SOI 材料抗輻照性能的影響  
注硅工藝對(duì)UNIBOND SOI 材料抗輻照性能的影響
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 絕緣體上的硅  智能剝離  離子注入  納米晶  
資料大?。?/td> 252K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
SOI材料天然具有抗瞬時(shí)輻射的能力，而通過特定的改性處理后，SOI的抗總劑量能力也可以得到大幅度的提高。SOI材料主流的制備方法包括SIMOX（注氧隔離方法）和UNIBONDSOI（智能剝離方法制備）。在SIMOXSOI的抗輻射加固領(lǐng)域，采用氮離子注入、氮氧共注入以及硅離子注入的方法都曾取得過很有效的結(jié)果。采用硅離子注入的方法對(duì)UNIBONDSOI進(jìn)行了抗總劑量加固。采用P-MOS的表征方法對(duì)加固前后的樣品進(jìn)行了比較和分析，在HP-4155B半導(dǎo)體測(cè)試儀上得到的I-V曲線和提取的參數(shù)表明，注入的離子有效地減少了埋層中積累的正電荷得，圓片抗總劑量能力得到了大幅度提高。初步的理論分析表明是注入的硅離子形成的納米團(tuán)簇起到了俘獲正電荷的作用。
作者： 武愛民，陳靜，張恩霞，楊慧，張正選，王曦
上傳時(shí)間： 2008-08-27 16:24:27
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