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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
并五苯 場效應(yīng)晶體管 xrd afm 遷移率 |
| 資料大?。?/td>
| 290K |
| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來源： |
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡介： |
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以X射線衍射儀（XRD）研究了在硅表面形成并五苯多晶薄膜晶體結(jié)構(gòu)，通過原子力顯微鏡（AFM）分析了在二氧化硅表面形成并五苯多晶薄膜的形貌。以熱氧化的硅片作為絕緣柵極，并五苯作為有緣層，采用底接觸結(jié)構(gòu)，研制場效應(yīng)晶體管。經(jīng)過測試得到其場效應(yīng)遷移率為1.23cm2/Vs，開關(guān)電流比＞106。 |
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| 作者： |
陶春蘭，董茂軍，張旭輝，張福甲
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| 上傳時(shí)間： |
2008-08-27 16:31:39 |
| 下載次數(shù)： |
42 |
| 消耗積分： |
2
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