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> CeO2 摻雜氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與顯微組織的研究
CeO2 摻雜氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與顯微組織的研究
CeO2 摻雜氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與顯微組織的研究
資料類型:
PDF文件
關(guān)鍵詞:
氧化鋅壓敏閥片
CeO2
壓敏電位梯度
顯微組織
資料大?。?/td>
266K
所屬學(xué)科:
分子表征
來源:
2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19,武漢)
簡介:
采用添加微量CeO2的方法,提高氧化鋅壓敏閥片的電位梯度,使之具有優(yōu)良的綜合性能。同時研究了微量CeO2添加劑對氧化鋅壓敏電阻片的壓敏電位梯度的影響,并通過SEM測試手段對其微觀組織結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析研究,從理論上探討了CeO2影響氧化鋅壓敏閥片壓敏電位梯度與組織的機(jī)理。研究結(jié)果表明,在0~0.06%(摩爾分?jǐn)?shù))成分范圍內(nèi),隨著CeO2含量的增加,氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度明顯提高;當(dāng)CeO2含量超過0.06%(摩爾分?jǐn)?shù))時,隨其含量的增加,氧化鋅壓敏閥片的壓敏電位梯度又呈降低趨勢。其原因是CeO2加入到氧化鋅壓敏閥片中,以原相形式獨(dú)立存在的CeO2相釘扎在晶界,阻礙晶界運(yùn)動,抑制了ZnO晶粒的生長;另一方面,CeO2添加劑在陶瓷燒結(jié)過程中使ZnO晶體的自由電子濃度增大,填隙鋅離子Zni的總濃度下降,因而填隙鋅離子的傳質(zhì)能力下降,抑制了ZnO晶粒的生長,因而晶粒尺寸隨CeO2的添加而下降,壓敏電位梯度顯著提高。
作者:
嚴(yán)群,馮慶芬,黃慶,蘇華,謝顯蛟,涂銘旌
上傳時間:
2008-09-05 13:09:18
下載次數(shù):
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