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PDF文件
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碲銦汞 晶體生長(zhǎng) 垂直布里奇曼法 光電半導(dǎo)體材料 近紅外探測(cè)器 |
| 資料大?。?/td>
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| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡(jiǎn)介： |
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研究了一種新型近紅外光電探測(cè)材料碲銦汞（MIT）晶體，利用垂直Bridgman法成功生長(zhǎng)了MIT單晶，并采用X-ray衍射分析、UV-NIR-IR光譜分析及Hall測(cè)試對(duì)晶體的形態(tài)結(jié)構(gòu)及光電性能進(jìn)行了檢測(cè)。結(jié)果表明：MIT晶體為缺陷閃鋅礦結(jié)構(gòu)，其在中遠(yuǎn)紅外波段透過(guò)性能較好（＞50%），并且隨著波長(zhǎng)的增大，透過(guò)增強(qiáng)。MIT晶體為n型半導(dǎo)體，室溫電阻率為4.79102Ωcm，載流子遷移率為4.6102cm2V-1s-1，載流子濃度為2.831013cm-3。較低的載流子濃度，有利于降低探測(cè)器的噪聲及提高探測(cè)器的能量分辨率。 |
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| 作者： |
王領(lǐng)航，張繼軍，介萬(wàn)奇，董陽(yáng)春
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| 上傳時(shí)間： |
2008-09-08 14:25:50 |
| 下載次數(shù)： |
31 |
| 消耗積分： |
2
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