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| 關(guān)鍵詞： |
磁控反應(yīng)濺射 HfO2薄膜 沉積速率 光學(xué)性能 |
| 資料大?。?/td>
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| 所屬學(xué)科： |
分子表征 |
| 來(lái)源： |
2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專(zhuān)題論壇論文集(11.15-11.19，武漢) |
| 簡(jiǎn)介： |
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采用射頻磁控反應(yīng)濺射法，以高純熱壓HfO2陶瓷為靶材，在Si襯底上成功制備出HfO2薄膜。系統(tǒng)研究了工藝參數(shù)對(duì)薄膜沉積速率的影響規(guī)律，并對(duì)薄膜的光學(xué)性能進(jìn)行了研究。結(jié)果表明，射頻功率對(duì)薄膜沉積速率的影響最為明顯，O2/Ar流量比和襯底溫度對(duì)沉積速率的作用不明顯。所制備薄膜的折射率較高在近紅外波段趨于1.95，在500～1650nm波段范圍內(nèi)薄膜幾乎無(wú)吸收，透過(guò)率較高。 |
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| 作者： |
劉文婷，劉正堂，許 寧，鹿芹芹，閆 鋒
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| 上傳時(shí)間： |
2008-09-09 17:01:27 |
| 下載次數(shù)： |
32 |
| 消耗積分： |
2
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