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In含量變化對N-In共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響  
In含量變化對N-In共摻雜ZnO薄膜的結(jié)構(gòu)和性能的影響
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： ZnO薄膜  N-In共摻雜  缺陷  光致發(fā)光  
資料大?。?/td> 334K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
采用超聲霧化熱解法制備ZnO薄膜，對比分析了不同In含量的N-In共摻雜ZnO薄膜的顯微結(jié)構(gòu)，電學和光學性質(zhì)。實驗結(jié)果表明在N-In共摻雜條件下In的含量對ZnO薄膜的顯微結(jié)構(gòu)及性能有明顯的影響。In的摻入使得ZnO中總體缺陷減少，晶粒外形更規(guī)則，c軸取向性更好。引入In能使ZnO更容易向p型轉(zhuǎn)變；當前驅(qū)體溶液中In的比例＞0.03后，可以顯著改善ZnO薄膜的電學性能和光學性能。
作者： 羅紅波，譚 勁，楊福華，池召坤
上傳時間： 2008-09-11 15:03:16
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相關(guān)評論 共有1人發(fā)表評論 更多評論
qicoed    2009-05-09 15:09:10
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