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PCVD 法制備硅系納米復(fù)合薄膜材料 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
PCVD制備技術(shù) 硅系材料 納米復(fù)合薄膜 |
| 資料大小： |
171K |
| 所屬學(xué)科： |
高分子化學(xué) |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡(luò) |
| 簡介： |
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納米復(fù)合薄膜材料由于具有傳統(tǒng)復(fù)合材料和現(xiàn)代納米材料兩者的優(yōu)點，成為重要的前沿研究領(lǐng)域之一。其中半導(dǎo)體納米復(fù)合材料，尤其是硅系納米復(fù)合薄膜，由于具有獨特的光電性能，加之與集成電路相兼容的制備技術(shù)，有著廣泛的應(yīng)用前景。近年來關(guān)于納米復(fù)合薄膜的研究不斷深入，但仍有許多問題沒有完全解決。本文圍繞硅系納米復(fù)合薄膜的材料特點，說明了等離子體化學(xué)氣相沉積(PCVD)技術(shù)的工作原理和裝置結(jié)構(gòu)，以及該技術(shù)在硅系納米復(fù)合薄膜制備中的獨特優(yōu)點。并以氮化硅薄膜為重點，介紹納米復(fù)合薄膜材料的PCVD制備技術(shù)。文章最后對硅系納米復(fù)合薄膜的在光電技術(shù)等各個領(lǐng)域的應(yīng)用前景做了一些展望。 |
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| 上傳人： |
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| 上傳時間： |
2007-07-06 15:49:29 |
| 下載次數(shù)： |
7036 |
| 消耗積分： |
2
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