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旋轉(zhuǎn)Y切測定La3Ga5SiO14晶體的壓電性能及分析  
旋轉(zhuǎn)Y切測定La3Ga5SiO14晶體的壓電性能及分析
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： LGS晶體  旋轉(zhuǎn)Y切  壓電常數(shù)  
資料大?。?/td> 160K
所屬學科： 分子表征
來源： 2004年第五屆中國功能材料及其應用學術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）
簡介：
通過選擇合適的晶體切型利用諧振法只測量（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片的相關(guān)參數(shù)就得到了La3Ga5SiO14晶體較為準確的壓電參數(shù)。其中La3Ga5SiO14晶體的d11和d14分別為5.5910-12C/N和-5.0110-12C/N。（yxl）-30o切La3Ga5SiO14晶片具有較大的機電耦合系數(shù)k26/≈13%和較大的機械品質(zhì)因數(shù)Qm≈10000。
作者： 趙明磊 王增梅 袁多榮 王矜奉 王春雷 王淵旭 王曉穎
上傳時間： 2007-07-12 15:43:24
下載次數(shù)： 615
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