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II-VI族化合物半導(dǎo)體中的晶體缺陷及其控制  
II-VI族化合物半導(dǎo)體中的晶體缺陷及其控制
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： II-VI族化合物  碲鋅鎘  晶體生長  退火改性  晶體缺陷  
資料大?。?/td> 197K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島）
簡介：
圍繞作者所在課題組近年來的研究工作，綜述了II－VI族化合物半導(dǎo)體晶體生長過程中的各種結(jié)構(gòu)缺陷及其形成機(jī)理。從晶體生長過程和后續(xù)的熱處理過程兩個方面指出了晶體缺陷的控制原理和方法。
作者： 介萬奇 李宇杰
上傳時間： 2007-07-18 13:43:32
下載次數(shù)： 631
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相關(guān)評論 共有2人發(fā)表評論 更多評論
wonlyou    2012-07-31 15:11:05
不錯，有幫助
lijingyan    2009-05-29 10:37:18
很好，謝謝。
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