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磁性納米膜微波高磁導(dǎo)率理論與實(shí)驗(yàn)研究  
磁性納米膜微波高磁導(dǎo)率理論與實(shí)驗(yàn)研究
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 微波磁導(dǎo)率  納米膜  磁各向異性  交換耦合作用  電阻率  軟磁性能  磁性薄膜  
資料大?。?/td> 550K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
磁性納米膜的應(yīng)用涉及磁記錄頭、微電感、微變壓器、電磁噪聲消除器、高頻磁傳感器等，其核心材料是軟磁薄膜，要求其具有高的磁導(dǎo)率并能保持到幾百M(fèi)Hz甚至GHz微波頻段。為了獲得滿足要求的高磁導(dǎo)率和頻率響應(yīng)特性磁性納米膜，本文分別從機(jī)理和實(shí)驗(yàn)研究角度，系統(tǒng)研究了磁性納米膜的高磁導(dǎo)率理論。首先從理論研究角度，系統(tǒng)研究了單層納米膜和納米顆粒膜的微波高磁導(dǎo)率機(jī)理。單層納米膜高磁導(dǎo)率主要取決于高飽和磁化強(qiáng)度和面內(nèi)可調(diào)的各向異性。從納米層次對(duì)納米顆粒膜的交換耦合開展了深入的研究，應(yīng)用微磁學(xué)分析了交換耦合作用的物理圖像，交換耦合對(duì)克服退磁效應(yīng)、提高微波磁導(dǎo)率和磁損耗、提高電阻率等方面都起到關(guān)鍵作用。其次從計(jì)算模擬角度，深入分析了納米膜的交換耦合、各向異性、逾滲閾值、電阻率等主要因素對(duì)納米膜微波磁導(dǎo)率作用。為獲得具有微波磁導(dǎo)率和兼顧高電阻率的磁性納米膜，在逾滲閾值附近，進(jìn)行了納米膜的電阻率與磁導(dǎo)率相關(guān)性研究。最后，從典型磁性納米膜制備工藝角度，研究了濺射沉積的Fe40Co40B20合金薄膜單層納米膜和采用順序沉積Co40Fe40B20/SiO2不連續(xù)多層納米顆粒膜，對(duì)高磁導(dǎo)率機(jī)理進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
作者： 何華輝，江建軍
上傳時(shí)間： 2008-08-25 14:34:43
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wohenni    2009-04-12 15:14:42
有實(shí)用性，有研究?jī)r(jià)值
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