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ZnO納米線(xiàn)陣列的圖形化生長(zhǎng)  
ZnO納米線(xiàn)陣列的圖形化生長(zhǎng)
資料類(lèi)型： PDF文件
關(guān)鍵詞： ZnO納米線(xiàn)  光刻  圖形化生長(zhǎng)  氣相輸運(yùn)  水熱合成  
資料大?。?/td> 267K
所屬學(xué)科： 分子表征
來(lái)源： 2007年第六屆中國(guó)功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議暨2007國(guó)際功能材料專(zhuān)題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡(jiǎn)介：
采用光刻和射頻磁控濺射技術(shù)在Si襯底上制備了圖形化的ZnO種子層薄膜。分別采用氣相輸運(yùn)和水熱合成法，制備了最小單元為30μm的圖形化的ZnO納米線(xiàn)陣列。X射線(xiàn)衍射(XRD)分析顯示單晶納米線(xiàn)陣列具有高度的c軸[001]擇優(yōu)取向生長(zhǎng)性質(zhì)。從掃描電子顯微鏡(SEM)照片看出，陣列圖形完整清晰，邊緣整齊。納米線(xiàn)陣列在室溫下光致發(fā)光(PL)譜線(xiàn)中在380nm左右具有強(qiáng)烈的紫外發(fā)射峰，可見(jiàn)光區(qū)域發(fā)射峰得到了抑制，證明ZnO納米線(xiàn)陣列氧空位缺陷少，晶體質(zhì)量高。
作者： 艾磊，方國(guó)家，劉逆霜，王明軍，趙興中
上傳時(shí)間： 2008-09-08 14:02:38
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相關(guān)評(píng)論 共有1人發(fā)表評(píng)論 更多評(píng)論
sunhuiting    2011-03-11 17:13:37
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