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Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method  
Perylrene-based n-type field-effect transistors prepared by the neutral cluster beam deposition method
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： neutral  cluster  beam  deposition  method  
資料大?。?/td> 76K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2009年第8屆國際共軛高分子與有機(jī)納米結(jié)構(gòu)光探測大會（6.6-6.10，北京)
簡介：
Wepresentthefirstapplicationoftheneutralclusterbeamdeposition(NCBD)methodtopreparen-typeorganicthin-filmtransistorswithatop-contactstructurebasedonN,N’-ditridecylperylene-3,4,9,10-tetracarboxylicdiimide(P13).Systematicanalysiswascarriedouttoexaminetheeffectsofsurfacepassivationandthermalpost-treatmentonthemorphologyandcrystallinityofP13activelayersanddeviceperformance,togetherwithoperationalstabilityasafunctionoftime.
作者： Ying Zhang,* Hoon-seok Seo, Min-jun An, Jong-ho Choi
上傳時間： 2009-07-29 11:09:17
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