三、發(fā)展思路和發(fā)展目標(biāo)
�。ㄒ唬┌l(fā)展思路
深入貫徹落實科學(xué)發(fā)展觀，充分發(fā)揮重大科技專項、戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引領(lǐng)作用，推動形成以企業(yè)為主體、產(chǎn)學(xué)研用結(jié)合的技術(shù)創(chuàng)新體系；以市場亟需的、帶動性較顯著的電子專用設(shè)備、電子測量儀器為重點，集中力量重點突破，開發(fā)滿足國家重大戰(zhàn)略需求、具有市場競爭力的關(guān)鍵產(chǎn)品，批量進(jìn)入生產(chǎn)線，提升市場自給率；以承擔(dān)重大專項為契機(jī)，形成一批自主知識產(chǎn)權(quán)核心技術(shù)，扶植起一批電子專用設(shè)備儀器重點企業(yè)。
�。ǘ┌l(fā)展目標(biāo)
1、經(jīng)濟(jì)指標(biāo)
“十二五”時期，我國電子專用設(shè)備產(chǎn)業(yè)將實現(xiàn)17%的年均增長速度，其中骨干企業(yè)年均增長20%，到2015年實現(xiàn)銷售收入400億元；電子儀器產(chǎn)業(yè)年均增長速度達(dá)15%，到2015年實現(xiàn)銷售收入達(dá)到1800億元。
2、創(chuàng)新指標(biāo)
12英寸65納米集成電路制造裝備實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，研發(fā)成功45納米-32納米制造裝備整機(jī)產(chǎn)品并進(jìn)入生產(chǎn)線應(yīng)用。在若干技術(shù)領(lǐng)域形成具有特色的創(chuàng)新技術(shù)和創(chuàng)新產(chǎn)品，大幅提升創(chuàng)新實力和差異化競爭能力。研發(fā)出8-10種前道核心裝備、12-15種先進(jìn)封裝關(guān)鍵設(shè)備并形成批量生產(chǎn)能力。
縮小我國集成電路設(shè)備、工藝技術(shù)水平與當(dāng)時國際先進(jìn)水平的差距，除光刻機(jī)外基本縮小到1代甚至基本同步；晶硅太陽能電池設(shè)備達(dá)到國際先進(jìn)水平；表面貼裝設(shè)備除自動貼片機(jī)外達(dá)到國際先進(jìn)水平；集成電路后封裝設(shè)備、液晶顯示器件后工序設(shè)備、發(fā)光二極管（LED）設(shè)備（除金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積設(shè)備外）、片式元件設(shè)備、凈化設(shè)備、環(huán)境試驗設(shè)備接近國際先進(jìn)水平。
電子儀器總體技術(shù)水平達(dá)到2005年前后國際先進(jìn)水平，在新一代移動通信、數(shù)字電視、綠色環(huán)保等應(yīng)用領(lǐng)域的電子儀器基本達(dá)到與國際先進(jìn)水平同步。
四、主要任務(wù)和發(fā)展重點
�。ㄒ唬┲饕蝿�(wù)
1、圍繞戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，提升配套能力
加強(qiáng)為戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)配套的電子專用設(shè)備儀器的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，圍繞集成電路、太陽能光伏、中小尺寸平板顯示、下一代通信等重點領(lǐng)域所需電子專用設(shè)備儀器，大力推進(jìn)關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，加快產(chǎn)品推廣應(yīng)用進(jìn)程。
2、加強(qiáng)基礎(chǔ)能力建設(shè)，提升產(chǎn)業(yè)整體水平
針對關(guān)鍵設(shè)備和儀器產(chǎn)業(yè)化水平低、可靠性差等問題，加強(qiáng)基礎(chǔ)工藝研究，提升重點設(shè)備和儀器質(zhì)量水平，積極發(fā)展電子專用設(shè)備制造的關(guān)聯(lián)產(chǎn)業(yè)和配套產(chǎn)業(yè)，加大技術(shù)改造投入，提高基礎(chǔ)零部件和配套產(chǎn)品的技術(shù)水平，不斷滿足電子信息制造業(yè)發(fā)展的需要。
3、以重大專項實施為契機(jī)，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)互動
引導(dǎo)承擔(dān)重大專項的企業(yè)在攻克技術(shù)難關(guān)的同時延展技術(shù)應(yīng)用，推動集成電路設(shè)備相關(guān)技術(shù)在半導(dǎo)體、顯示、光伏、元器件等領(lǐng)域的應(yīng)用，推動通信網(wǎng)絡(luò)測試設(shè)備在通用測試儀器中的應(yīng)用。針對新興市場需求，加強(qiáng)產(chǎn)業(yè)鏈上下游聯(lián)動，共同探索新工藝，聯(lián)合研發(fā)新型設(shè)備儀器。
�。ǘ┌l(fā)展重點
1、集成電路生產(chǎn)設(shè)備
�。�1）8英寸0.13微米集成電路成套生產(chǎn)線設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
在“十一五”攻關(guān)的基礎(chǔ)上，以設(shè)備生產(chǎn)能力的提升和產(chǎn)業(yè)化為重點。解決以光刻設(shè)備、刻蝕設(shè)備、離子注入設(shè)備、退火設(shè)備、單晶生長設(shè)備、薄膜生長設(shè)備、化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備和封裝測試設(shè)備為代表的8英寸0.13微米工藝的集成電路成套設(shè)備的自主研發(fā)，突破核心關(guān)鍵技術(shù)，在國內(nèi)建立成套生產(chǎn)線，提高半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)的配套性和整體水平。
�。�2）12英寸65納米-45納米集成電路關(guān)鍵設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
光刻機(jī)：基于國產(chǎn)核心部件完成90納米光刻機(jī)的產(chǎn)品定型，形成小批量生產(chǎn)能力，實現(xiàn)產(chǎn)品銷售。
刻蝕機(jī)：使國產(chǎn)65納米-45納米刻蝕機(jī)進(jìn)入主流生產(chǎn)線，實現(xiàn)刻蝕機(jī)的產(chǎn)業(yè)化；完成45納米以下柵刻蝕和介質(zhì)刻蝕產(chǎn)品研制，逐步完成關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)，實現(xiàn)設(shè)備生產(chǎn)線驗證及商業(yè)設(shè)備定型設(shè)計。通過納米刻蝕機(jī)研制和工藝開發(fā)掌握高密度等離子刻蝕機(jī)制造的核心技術(shù)。
封測設(shè)備：開展先進(jìn)封裝圓片減薄設(shè)備、三維系統(tǒng)封裝通孔設(shè)備、高密度倒裝鍵合設(shè)備、新型晶片級封裝用設(shè)備等的研發(fā)。
其它設(shè)備：完成45納米薄膜設(shè)備、摻雜設(shè)備、互聯(lián)設(shè)備、平坦化設(shè)備、清洗設(shè)備、工藝檢測設(shè)備等整機(jī)產(chǎn)品的研發(fā)，在工程樣機(jī)設(shè)計及工藝開發(fā)的基礎(chǔ)上，結(jié)合可靠性、穩(wěn)定性等產(chǎn)業(yè)化指標(biāo)要求，改進(jìn)設(shè)計，制造中試樣機(jī)，通過大量工藝驗證與優(yōu)化試驗，確定商業(yè)機(jī)設(shè)計，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化銷售。
2、太陽能電池生產(chǎn)設(shè)備
�。�1）太陽能級多晶硅及單晶硅生長、切割、清洗設(shè)備產(chǎn)業(yè)化
多晶硅生長設(shè)備：突破熱場分控技術(shù)、定向凝固技術(shù)，實現(xiàn)投料量噸級及以上產(chǎn)品硅鑄錠爐的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，并實現(xiàn)成品率達(dá)到75%以上。
單晶硅生長設(shè)備：突破單晶生長全自動控制技術(shù)，實現(xiàn)8英寸（156 毫米×156 毫米硅片）以上尺寸全自動單晶爐產(chǎn)業(yè)化。
切割設(shè)備：突破張力控制軟件技術(shù)、水冷卻氣密封技術(shù)、砂漿溫度閉環(huán)控制技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，保證能滿足太陽能硅片大生產(chǎn)切割需求，切割硅片尺寸8英寸，切割精度優(yōu)于10微米、厚度在180微米以下的太陽能硅片多線切割機(jī)產(chǎn)業(yè)化。
清洗設(shè)備：突破槽體溫度控制技術(shù)、溶液循環(huán)技術(shù)、大行程直線傳輸技術(shù)等關(guān)鍵技術(shù)，提升產(chǎn)品質(zhì)量的一致性，實現(xiàn)碎片率小于0.3‰的太陽能晶硅清洗制絨設(shè)備產(chǎn)業(yè)化，促進(jìn)晶硅太陽能電池片轉(zhuǎn)化效率提升。
�。�2）全自動晶硅太陽能電池片生產(chǎn)線設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
重點發(fā)展擴(kuò)散爐、等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積設(shè)備（PECVD）等關(guān)鍵設(shè)備，突破單機(jī)自動化及生產(chǎn)線設(shè)備之間物流傳輸自動化技術(shù)，實現(xiàn)整線自動化集成。
重點突破自動圖像對準(zhǔn)技術(shù)、柔性傳輸技術(shù)、高精度印刷技術(shù)、高速高精度對準(zhǔn)技術(shù)、測試分選技術(shù)、智能化控制及系統(tǒng)集成技術(shù)，進(jìn)一步提高電池片電極印刷、烘干、測試分選速度，實現(xiàn)產(chǎn)能達(dá)到1440片/小時以上、碎片率低于0.5%的全自動太陽能印刷線設(shè)備產(chǎn)業(yè)化。
�。�3）薄膜太陽能生產(chǎn)設(shè)備
硅基類薄膜太陽能電池設(shè)備：重點提高大面積沉積的均勻性，進(jìn)一步提升設(shè)備運行的穩(wěn)定性，適度提升自動化程度，提高生產(chǎn)效率。
碲化鎘（CdTe）薄膜太陽能電池設(shè)備：突破真空鍍膜設(shè)備技術(shù)難點，研發(fā)新型升華源的結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提高溫度均勻性，開發(fā)在高溫、真空環(huán)境下的傳動系統(tǒng)。
銅銦鎵硒（CIGS）薄膜太陽能電池設(shè)備：突破真空鍍膜設(shè)備、材料濺射、硒化技術(shù)等技術(shù)難點，實現(xiàn)元素配比的精確控制，保證大面積沉積的均勻性，提高生產(chǎn)效率，降低制造成本。實現(xiàn)0.7平方米以上、電池轉(zhuǎn)化效率達(dá)14%以上的CIGS整線設(shè)備集成。
3、新型元器件生產(chǎn)設(shè)備
（1）中小尺寸有機(jī)發(fā)光顯示（OLED）生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
解決無源有機(jī)發(fā)光顯示（PM-OLED）用有機(jī)蒸鍍和封裝等關(guān)鍵設(shè)備大面積化和低成本化等問題，重點發(fā)展蒸發(fā)源、掩模對位、玻璃和掩模板固定裝置等設(shè)備，進(jìn)一步提高生產(chǎn)效率。
開展中小尺寸有源有機(jī)發(fā)光顯示（AM-OLED）產(chǎn)品生產(chǎn)工藝和制造設(shè)備研發(fā)，突破濺鍍臺、PECVD系統(tǒng)、熱蒸發(fā)系統(tǒng)等AM-OLED用的薄膜晶體管（TFT）薄膜沉積裝備；涂膠機(jī)、曝光機(jī)、干濕法刻蝕機(jī)等AM-OLED用的TFT圖形制作裝備；退火爐、退火氣體管道、激光退火設(shè)備等AM-OLED用TFT退火裝備；TFT電學(xué)測試設(shè)備、OLED光學(xué)測試設(shè)備等AM-OLED用檢測裝備；AM-OLED用缺陷檢測修補(bǔ)裝備，如激光修補(bǔ)機(jī)等。
�。�2）高儲能鋰離子電池生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
突破電池漿料精密攪拌技術(shù)、電極極片精密涂敷技術(shù)、極片精密軋膜技術(shù)及快速極片分切技術(shù)，實現(xiàn)400升（裝量）漿料攪拌設(shè)備、650毫米（幅寬）擠出式涂布設(shè)備、Φ800（軋輥直徑800毫米）強(qiáng)力軋膜設(shè)備、極片分切設(shè)備（分切速度30-35米/分鐘）研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，實現(xiàn)整線設(shè)備集成。
（3）其他元器件生產(chǎn)設(shè)備研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化
重點發(fā)展高性能永磁元件生產(chǎn)設(shè)備、高亮度LED生產(chǎn)設(shè)備、金屬化超薄膜電力電容器生產(chǎn)設(shè)備、超小型片式元件生產(chǎn)設(shè)備、高密度印制電路板生產(chǎn)設(shè)備、高精密自動印刷機(jī)高速、多功能自動貼片機(jī)無鉛再流焊機(jī)、高精度光學(xué)檢測設(shè)備。
4、通信與網(wǎng)絡(luò)測試儀器
滿足時分雙工長期演進(jìn)技術(shù)（TD-LTE）網(wǎng)絡(luò)測試的多模終端樣機(jī)的研發(fā)，開發(fā)TD-LTE路測分析儀并達(dá)到商用化要求，配合TD-LTE技術(shù)網(wǎng)絡(luò)試驗和規(guī)模商用。
針對TD-LTE基站和終端特點及相關(guān)新技術(shù)和實際測試需求，開發(fā)模塊化的TD-LTE基站和終端射頻測試系統(tǒng)，推動基站和終端性能進(jìn)一步提高。
針對長期演進(jìn)技術(shù)（LTE）網(wǎng)絡(luò)接口進(jìn)行協(xié)議一致性測試的需求，研究更方便、更簡潔的測試工具對LTE的核心網(wǎng)絡(luò)設(shè)備和無線網(wǎng)絡(luò)設(shè)備進(jìn)行測試，推動設(shè)備接口實現(xiàn)一致性。
針對TD-LTE終端一致性測試開發(fā)擴(kuò)展測試集儀器；針對TD-LTE-Advanced終端一致性測試開發(fā)終端協(xié)議仿真測試儀。
其他通信方式以及網(wǎng)絡(luò)測試所需的新一代通信測試儀器、計算機(jī)網(wǎng)絡(luò)測試儀器、射頻識別綜合測試儀器、各類讀卡器、近距離無線通信綜合測試儀器。
5、半導(dǎo)體和集成電路測試儀器
滿足對多種功能半導(dǎo)體和集成電路進(jìn)行測試需求的射頻與高速數(shù)�；旌闲盘柤呻娐窚y試系統(tǒng)；存儲器等專項測試系統(tǒng)；半導(dǎo)體和集成電路在線測試系統(tǒng)、測試開發(fā)系統(tǒng)。
6、數(shù)字電視測試儀器
滿足數(shù)字電視和數(shù)字音視頻測試需求的數(shù)字電視信號源、數(shù)字音視頻測試儀、碼流監(jiān)測分析儀、圖像質(zhì)量分析儀、數(shù)字電視上網(wǎng)融合分析儀、網(wǎng)絡(luò)質(zhì)量和安全監(jiān)測儀、數(shù)字電視地面信號覆蓋監(jiān)測系統(tǒng)。
五、政策措施
�。ㄒ唬┘訌�(qiáng)戰(zhàn)略引導(dǎo)，完善產(chǎn)業(yè)政策
充分利用優(yōu)惠政策，降低企業(yè)在技術(shù)進(jìn)步中的風(fēng)險，合理地運用優(yōu)惠政策促進(jìn)科研成果產(chǎn)業(yè)化。制定并完善《重大技術(shù)裝備和產(chǎn)品進(jìn)口關(guān)鍵零部件、原材料商品清單》，進(jìn)一步加強(qiáng)對電子專用設(shè)備關(guān)鍵零部件稅收優(yōu)惠政策的支持力度。
加快出臺《關(guān)于印發(fā)<進(jìn)一步鼓勵軟件產(chǎn)業(yè)和集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展若干政策>的通知》（國發(fā)[2011]4號）的實施細(xì)則，對符合條件的集成電路專用儀器以及集成電路專用設(shè)備相關(guān)企業(yè)給予企業(yè)所得稅優(yōu)惠，支持行業(yè)發(fā)展。
�。ǘ┘哟笸度肓Χ�，支持技術(shù)創(chuàng)新
充分發(fā)揮國家科技重大專項、電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金等引導(dǎo)作用，以多種形式支持電子專用設(shè)備儀器行業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，重點支持戰(zhàn)略意義大、技術(shù)難度高、市場前景廣、帶動作用強(qiáng)、發(fā)展基礎(chǔ)好的關(guān)鍵電子專用設(shè)備儀器發(fā)展。
推動落實《首臺（套）重大技術(shù)裝備試驗示范項目管理辦法》，鼓勵支持集成電路關(guān)鍵設(shè)備、新型平板顯示器生產(chǎn)設(shè)備、電子元器件生產(chǎn)設(shè)備、無鉛工藝的整機(jī)裝聯(lián)設(shè)備自主創(chuàng)新，為首臺（套）重大電子專用設(shè)備應(yīng)用創(chuàng)造良好條件。
�。ㄈ┨嵘a(chǎn)品可靠性，加強(qiáng)服務(wù)能力建設(shè)
抓好零部件配套和維修服務(wù)工作，推行平均失效間隔（MTBF）、平均恢復(fù)時間（MTTR）等可靠性指標(biāo)，采用可靠性設(shè)計、元器件篩選等行之有效的辦法，提高零部件產(chǎn)品可靠性，拓展維修、備件供應(yīng)等服務(wù)范圍，提高專用設(shè)備儀器的服務(wù)水平。
�。ㄋ模┮龑�(dǎo)專項成果輻射，推動技術(shù)應(yīng)用擴(kuò)展
在支持企業(yè)承擔(dān)重大專項的企業(yè)攻克技術(shù)難關(guān)、強(qiáng)化核心競爭力的同時，積極引導(dǎo)將掌握的技術(shù)向相關(guān)領(lǐng)域進(jìn)行應(yīng)用擴(kuò)展，重點推動半導(dǎo)體專用設(shè)備技術(shù)和產(chǎn)品在太陽能電池、LED、平板顯示等領(lǐng)域的應(yīng)用。
�。ㄎ澹┲匾暼瞬艖�(zhàn)略，集聚高端人才
推動在高等院校和科研院所加強(qiáng)電子專用設(shè)備儀器相關(guān)學(xué)科建設(shè)與專業(yè)技術(shù)人才的培養(yǎng)，建設(shè)高校、企業(yè)聯(lián)動的人才培養(yǎng)機(jī)制。以國家科技重大專項為平臺，加快人才引進(jìn)，進(jìn)一步提升高端復(fù)合型人才的積累。