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總劑量輻射下的SOI 晶體管中的陷阱電荷分布  
總劑量輻射下的SOI 晶體管中的陷阱電荷分布
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： 總劑量輻射  soi  陷阱電荷分布  電場分布  
資料大小： 245K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
通過對載流子擴(kuò)散機(jī)理的研究，由數(shù)學(xué)公式的推導(dǎo)，得到陷阱電荷分布隨電場變化的函數(shù)關(guān)系。將由medici模擬得到的3種偏置下SOI的NMOS管埋氧層中的電場分布的數(shù)據(jù)代入方程式，得到總劑量輻射下的SOI晶體管中的陷阱電荷的分布。得到的數(shù)據(jù)較好地解釋了實(shí)驗(yàn)結(jié)果。
作者： 王茹，張正選，俞文杰，賀威，田浩，陳明
上傳時間： 2008-08-27 16:27:01
下載次數(shù)： 39
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