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SOI在高壓器件中的應(yīng)用  
SOI在高壓器件中的應(yīng)用
資料類型： PDF文件
關(guān)鍵詞： SOI  高壓器  擊穿電壓  
資料大?。?/td> 108K
所屬學(xué)科： 分子表征
來源： 2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學(xué)術(shù)會(huì)議（9.12-9.16，北京.秦皇島）
簡介：
綜述了絕緣層上的硅（SOI）材料在高壓器件中的應(yīng)用，分析了SOI高壓器件的不同結(jié)構(gòu)，并對(duì)現(xiàn)在最常用的RESURFLDMOS高壓器件結(jié)構(gòu)，以及不同器件參數(shù)對(duì)擊穿電壓的影響進(jìn)行了分析和討論。
作者： 王石冶 劉衛(wèi)麗 張苗 林成魯 宋志棠
上傳時(shí)間： 2007-07-13 16:00:25
下載次數(shù)： 620
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