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MOCVD方法制備In2O3薄膜的性質(zhì)研究  
MOCVD方法制備In2O3薄膜的性質(zhì)研究
資料類型： PDF文件
關鍵詞： MOCVD  In2O3薄膜  結(jié)構(gòu)性質(zhì)  光電性質(zhì)  
資料大?。?/td> 349K
所屬學科： 分子表征
來源： 2007年第六屆中國功能材料及其應用學術會議暨2007國際功能材料專題論壇論文集(11.15-11.19，武漢)
簡介：
用金屬有機化學氣相淀積(MOCVD)方法以三甲基銦為源材料，以O2為氧化氣體，在藍寶石襯底(0001)面上生長出了高質(zhì)量的立方相In2O3薄膜。研究了In2O3薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌和光電性質(zhì)。結(jié)果表明制備樣品具有In2O3體心立方結(jié)構(gòu)和(222)方向擇優(yōu)取向生長，電阻率～6.4010-3Ωcm，在可見光區(qū)域的平均透過率達到了90%以上。
作者： 楊 帆，馬 瑾，馮先進，孔令沂，張 凱
上傳時間： 2008-09-09 17:16:23
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