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MOCVD制備定向生長ZnO壓電薄膜 |
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| 資料類型： |
PDF文件
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| 關(guān)鍵詞： |
ZnO薄膜 MOCVD 定向生長 壓電雙晶片 |
| 資料大?。?/td>
| 147K |
| 所屬學科： |
分子表征 |
| 來源： |
2004年第五屆中國功能材料及其應(yīng)用學術(shù)會議（9.12-9.16，北京.秦皇島） |
| 簡介： |
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采用大氣開放式金屬有機化合物化學氣相沉積（A-MOCVD）的方法，在普通多晶黃銅基片上制備ZnO薄膜。薄膜的SEM、XRD結(jié)果表明ZnO沿C軸取向垂直生長在基片上。綜合分析ZnO自身晶體生長習性，提出了ZnO薄膜在普通多晶銅表面的生長模型。并將ZnO薄膜制備成壓電雙晶片元件，在光學顯微鏡下能觀察到元件尖端產(chǎn)生了很大的位移量，結(jié)果表明高定向性ZnO薄膜具有優(yōu)異的壓電特性。該壓電器件使得傳統(tǒng)的小變形雙晶片元件的數(shù)學模型失效，有必要建立新型大變形雙晶片物理、數(shù)學模型。 |
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| 作者： |
林煌 袁洪濤 童強 張陽 張躍
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| 上傳時間： |
2007-07-12 16:31:00 |
| 下載次數(shù)： |
616 |
| 消耗積分： |
2
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