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“十二五”國(guó)家科技計(jì)劃材料領(lǐng)域2013年度備選項(xiàng)目征集指南
2012-03-30  來(lái)源:科技部

  4.先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料

  4.1新型輕質(zhì)高強(qiáng)合金(前沿技術(shù)類)

  研發(fā)新型高品質(zhì)輕合金材料、高強(qiáng)韌耐腐蝕鐵鎳基特種合金,開發(fā)超薄、大型、復(fù)雜合金結(jié)構(gòu)件,突破材料潔凈化、均質(zhì)化、細(xì)晶化、冶金缺陷控制、組織調(diào)控與精密成形制備技術(shù),實(shí)現(xiàn)新型合金綜合性能協(xié)同提高及工業(yè)化制備和規(guī)模應(yīng)用。

  4.2高性能粉末冶金材料(前沿技術(shù)類)

  研究新型低成本鐵基粉末冶金材料和高性能鈦基粉末合金及其先進(jìn)制備技術(shù),突破高品質(zhì)低氧粉末制備、高密度粉末冶金成形技術(shù)、強(qiáng)化和組合燒結(jié)、精確熱加工等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)關(guān)鍵構(gòu)件尺寸和致密度精確控制及穩(wěn)定制備和規(guī)模應(yīng)用。

  4.3高性能金屬基復(fù)合材料(前沿技術(shù)類)

  開發(fā)金屬基復(fù)合材料結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與大型構(gòu)件制備加工技術(shù),突破增強(qiáng)體與基體適配、先進(jìn)復(fù)合工藝、熱處理改性和構(gòu)件塑性成形與連接技術(shù),提高材料的熱強(qiáng)性和使用效能,實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料輕量化、高性能化、多功能化及其穩(wěn)定制備和規(guī)模應(yīng)用。

  4.4層狀結(jié)構(gòu)先進(jìn)復(fù)合材料(前沿技術(shù)類)

  研究多種金屬(鋁、鈦、鋼等)間及金屬與非金屬?gòu)?fù)合層狀結(jié)構(gòu)材料,突破材料成分設(shè)計(jì)、結(jié)構(gòu)復(fù)合、加工協(xié)同變形、界面適配、缺陷控制、板形精確控制等關(guān)鍵技術(shù),實(shí)現(xiàn)高效能、低成本層狀復(fù)合結(jié)構(gòu)材料的量產(chǎn)與規(guī)模應(yīng)用。

  5.電子材料與器件

  5.1新型超高密度和移動(dòng)存儲(chǔ)關(guān)鍵技術(shù)(前沿技術(shù)類)

  開展電荷陷阱存儲(chǔ)器、相變存儲(chǔ)器和阻變存儲(chǔ)器材料與器件研究。電荷陷阱存儲(chǔ)器和相變存儲(chǔ)器在移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)等方面獲得應(yīng)用;阻變存儲(chǔ)器關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)突破。

  5.2光電子集成芯片及其材料關(guān)鍵工藝技術(shù)(前沿技術(shù)類)

  開展多種光電材料集成芯片研究。基于多種材料的光電子集成芯片實(shí)現(xiàn)突破,硅基多種光電子器件與微電子電路單片集成芯片實(shí)現(xiàn)應(yīng)用。

  5.3新型及特種光纖材料與應(yīng)用關(guān)鍵技術(shù)(前沿技術(shù)類)

  掌握新型光纖和特種光纖的制備與應(yīng)用技術(shù)。新型光纖與器件在光傳輸、光傳感等方面獲得規(guī)模應(yīng)用,特種光纖與器件在醫(yī)療、電力等領(lǐng)域獲得規(guī)模應(yīng)用。

  6.材料設(shè)計(jì)制備與服役安全

  6.1材料多層次跨尺度設(shè)計(jì)與制備新技術(shù)(前沿技術(shù)類)

  開發(fā)材料多層次跨尺度集成設(shè)計(jì)技術(shù)、全壽命周期設(shè)計(jì)技術(shù),以及信息與數(shù)據(jù)支撐系統(tǒng),研發(fā)特種粉體材料近終成型、短流程高效制備及難加工金屬高效成形等新技術(shù),實(shí)現(xiàn)按使用要求設(shè)計(jì)和精確制備的目的。

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