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    香山科學會議是由科技部（前國家科委）發(fā)起，在科技部和中國科學院的共同支持下于1993年正式創(chuàng)辦，相繼得到國家自然科學基金委員會、中國科學院學部、中國工程院、教育部、解放軍總裝備部、前國防科工委和中國科學技術(shù)協(xié)會部門的支持與資助。香山科學會議是我國科技界以探索科學前沿、促進知識創(chuàng)新為主要目標的高層次、跨學科、小規(guī)模的常設(shè)性學術(shù)會議。會議實行執(zhí)行主席負責制。會議以評述報告、專題報告和深入討論為基本方式，探討科學前沿與未來。
    以共軛小分子/聚合物、石墨烯、富勒烯和碳納米管等為代表的碳基半導體材料和器件已形成一個由化學、物理、信息電子科學和材料科學等諸多學科相互交叉的新興研究領(lǐng)域，是目前國際上極具挑戰(zhàn)性的重要研究方向，也是納米科學研究中最為活躍的研究領(lǐng)域之一，特別是在能源的高效轉(zhuǎn)換、存儲和利用等方面展現(xiàn)出越來越重要的應用前景。碳基半導體器件的性能主要取決于器件中關(guān)鍵界面的結(jié)構(gòu)和特性，特別是界面的電荷過程、光電轉(zhuǎn)換過程及化學行為。縱觀碳基半導體材料和器件的研究歷程，每一次在界面特性研究中所取得的進展，都給其器件應用帶來新的突破和機遇。然而，碳基材料界面的基礎(chǔ)問題及界面性能調(diào)控的研究仍主要處于基礎(chǔ)研究階段，還有許多重大的科學問題亟待解決，而且這些問題決定和制約著碳基半導體材料和器件今后的實際應用。因此，從界面科學與工程的角度，圍繞碳基材料界面的基礎(chǔ)科學問題、各種碳基半導體器件中的實際界面問題、以及界面性能調(diào)控等進行研究，將會有助于碳基半導體器件的完善，加速實現(xiàn)多種碳基半導體器件的實際應用，其意義是難以估量的。
    為促進碳基半導體界面科學與工程研究的發(fā)展，了解世界碳基半導體界面科學與工程研究前沿的最新進展，加強各相關(guān)領(lǐng)域的專家學者之間的交流，促進有關(guān)的研究平臺的建設(shè)，全面推動跨學科、跨領(lǐng)域的深入實質(zhì)性的合作，香山科學會議定于2010年11月2~4日在蘇州會議中心(蘇州中心大酒店)召開以“碳基半導體界面科學與工程”為主題的學術(shù)討論會，會議將邀請多學科跨領(lǐng)域的專家學者與會，圍繞（1）碳基半導體材料界面的基礎(chǔ)研究；（2）碳基半導體材料界面的性能調(diào)控；（3）碳基半導體器件界面工程等中心議題進行深入討論。
    會議執(zhí)行主席：
    李述湯 教  授  蘇州大學
    朱道本 研究員  中科院化學所
    佟振合 研究員  中科院理化技術(shù)所
    曹  鏞 教  授  華南理工大學
    主題評述報告：碳基半導體的界面科學與工程，李述湯
    中心議題評述報告：
    1. 碳基半導體材料界面的基礎(chǔ)研究，萬立駿
    2. 碳基半導體材料界面的性能調(diào)控，朱道本
    3. 碳基半導體器件界面工程，      邱  勇
    香山科學會議主張學術(shù)平等，鼓勵對原有理論提出質(zhì)疑，提倡發(fā)表不同意見和提出非常規(guī)的思考，并不一定要求達成共識。會議期望，在寬松的環(huán)境和多學科交叉的自由討論中，基于對已有進展的總結(jié)和評論，展望未來的發(fā)展趨勢，剖析關(guān)鍵的科學前沿問題及其解決方法，探討學科新生長點。會議報告與自由討論時間大體為1：1~1.2。會議要求與會者在討論中言簡意賅，不宜過多展示過去已經(jīng)發(fā)表的成果，而以過去研究積累為基礎(chǔ)，涵蓋最新信息，把握最新動向，發(fā)表新的見解。